Datasheet > SVG10120NSA

SVG10120NSA

更新时间： 2024-04-09 19:03:04

品牌	Logo	应用领域
士兰微 - SILAN		/
页数	文件大小	规格书
7页	312K
描述
SOP-8

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SVG10120NSA 数据手册

士兰微电子

SVG10120NSA 说明书

16A、100V N沟道增强型场效应管

描述

5 6 7 8

4. 栅极

1、2、3. 源极

5、6；7、8. 漏极

SVG10120NSA N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用士兰

的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低

的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

1 2 3

特点



16A，100V，R_DS(on)_{（典型值）}=10m@V_GS=10V

低栅极电荷量

低反向传输电容

SOP-8-225-1.27

开关速度快

提升了 dv/dt 能力

产品规格分类

产品名称

SVG10120NSA

SVG10120NSATR

封装形式

打印名称

10120NSA

环保等级

无卤

包装方式

料管

SOP-8-225-1.27

无卤

编带

极限参数（除非特殊说明，T_C=25C）

参数

符号

V_DS

V_GS

参数值

单位

漏源电压

栅源电压

100

±20

T_C=25°C

漏极电流

I_D

T_C=100°C

漏极脉冲电流

I_DM

P_D

6.3

耗散功率（T_C=25C）

-大于 25C 每摄氏度减少

0.05

W/C

C

单脉冲雪崩能量

工作结温范围

贮存温度范围

（注 1）

E_AS

T_J

157

-55～+150

T_stg

C

热阻特性

参数

符号

R_θJC

R_θJA

参数值

单位

C/W

芯片对管壳热阻

芯片对环境的热阻

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.2

共 7 页第 1 页

http: //www.silan.com.cn

12 3 4 5 6 7

下载PDF

与SVG10120NSA相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
SVG103R0NP7	SILAN	TO-247-3L	获取价格
SVG103R0NS6	SILAN	TO-263-6L	获取价格
SVG103R0NT	SILAN	TO-220-3L	获取价格
SVG103R9NS	SILAN	TO-263-2L	获取价格
SVG104R0NS	SILAN	TO-263-2L	获取价格
SVG104R0NT	SILAN	TO-220-3L	获取价格