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SVG041R2NL5

更新时间: 2024-11-21 15:18:47
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士兰微 - SILAN 光电二极管
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10页 464K
描述
PDFN5*6

SVG041R2NL5 数据手册

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士兰微电子  
SVG041R2NL5 说明书  
150A40V N沟道增强型场效应管  
描述  
S
S
D
1
2
3
4
8
7
6
SVG041R2NL5 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用士兰  
LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低  
的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。  
D
D
S
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。  
G
5 D  
特点  
5
6
7
150A40VRDS(on)(典型值)=1.0m@VGS=10V  
低栅极电荷  
8
8
4
7
3
2
6
低反向传输电容  
5
1
开关速度快  
1
提升了 dv/dt 能力  
100%雪崩测试  
2
3
4
PDFN-8-5X6X0.95-1.27  
无铅管脚镀层  
符合 RoHS 环保标准  
关键特性参数  
参数  
VDS  
参数值  
40  
单位  
V
1.4~2.4  
1.24  
150  
V
VGS(th)  
RDS(on),max  
ID  
m  
A
87  
nC  
Qg.typ.  
产品规格分类  
产品名称  
封装形式  
打印名称  
环保等级  
包装方式  
编带  
SVG041R2NL5TR  
PDFN-8-5X6X0.95-1.27  
041R2NL5  
无卤  
杭州士兰微电子股份有限公司  
http: //www.silan.com.cn  
版本号:1.4  
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