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SVG034R3NL5-2LF

更新时间: 2024-11-19 18:09:59
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士兰微 - SILAN 光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 488K
描述
PDFN5*6

SVG034R3NL5-2LF 数据手册

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士兰微电子  
SVG034R3NL5-2LF 说明书  
80A30V N沟道增强型场效应管  
描述  
S
S
D
1
2
3
4
8
7
6
SVG034R3NL5-2LF N沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用  
士兰的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具  
有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。  
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。  
D
D
S
G
5 D  
特点  
5
6
7
8
80A30VRDS(on)(典型值)=3.6m@VGS=10V  
低栅极电荷  
8
4
7
3
2
6
低反向传输电容  
5
1
开关速度快  
1
2
100%雪崩测试  
3
4
无铅管脚镀层  
PDFN-8-5X6X0.95-1.27  
符合 RoHS 环保标准  
关键特性参数  
参数  
VDS  
参数值  
30  
单位  
V
1.2~2.2  
4.3  
V
VGS(th)  
RDS(on),max  
ID  
m  
A
80  
13  
nC  
Qg.typ  
产品规格分类  
产品名称  
封装形式  
PDFN-8-5X6X0.95-1.27  
打印名称  
环保等级  
包装方式  
SVG034R3NL5-2LFTR  
034R3-2LF  
无卤  
编带  
杭州士兰微电子股份有限公司  
http: //www.silan.com.cn  
版本号:1.1  
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