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SVG033R5NL3C-2LF

更新时间: 2024-12-01 18:09:27
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士兰微 - SILAN 光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 478K
描述
PDFN3*3

SVG033R5NL3C-2LF 数据手册

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士兰微电子  
SVG033R5NL3C-2LF 说明书  
85A30V N沟道增强型场效应管  
描述  
SVG033R5NL3C-2LF N沟道增强型功率 MOS场效应晶体管采用  
士兰的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有  
较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。  
S
S
S
D
D
D
1
2
3
8
7
6
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。  
5 D  
G 4  
特点  
85A30VRDS(on)(典型值)=2.6m@VGS=10V  
低栅极电荷  
低反向传输电容  
开关速度快  
提升了 dv/dt 能力  
100%雪崩测试  
PDFN-8C-3.3X3.3X0.75-0.65  
无铅管脚镀层  
符合 RoHS 环保标准  
关键特性参数  
参数  
VDS  
参数值  
30  
单位  
V
1.2~2.2  
3.5  
V
VGS(th)  
RDS(on),max  
ID  
m  
A
85  
21  
nC  
Qg.typ.  
产品规格分类  
产品名称  
封装形式  
PDFN-8C-3.3x3.3x0.75-0.65  
打印名称  
环保等级  
包装方式  
SVG033R5NL3C-2LFTR  
33R5  
无卤  
编带  
杭州士兰微电子股份有限公司  
版本号:1.0  
10 页 第 1 页  
http: //www.silan.com.cn