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SVG032R4NL3

更新时间: 2024-11-21 17:01:59
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士兰微 - SILAN 光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 433K
描述
PDFN3*3

SVG032R4NL3 数据手册

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士兰微电子  
SVG032R4NL3 说明书  
100A30V N沟道增强型场效应管  
描述  
SVG032R4NL3 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用士兰  
LVMOS 工艺技术制造进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低  
的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。  
S
S
S
D
D
D
1
2
3
8
7
6
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。  
5 D  
G 4  
特点  
5
6
7
100A30VRDS(on)(典型值)=2.0m@VGS=10V  
低栅极电荷  
8
8
7
6
4
3
2
低反向传输电容  
5
1
开关速度快  
1
2
提升了 dv/dt 能力  
100%雪崩测试  
3
4
PDFN-8-3.3X3.3X0.75-0.65  
无铅管脚镀层  
符合 RoHS 环保标准  
关键特性参数  
参数  
VDS  
参数值  
30  
单位  
V
1.3~2.3  
2.4  
V
VGS(th)  
RDS(on),max.  
ID  
m  
A
100  
40  
nC  
Qg.typ.  
产品规格分类  
产品名称  
封装形式  
打印名称  
32R4  
环保等级  
包装方式  
PDFN-8-3.3x3.3x0.75-0.65  
无卤  
编带  
SVG032R4NL3TR  
杭州士兰微电子股份有限公司  
http: //www.silan.com.cn  
版本号:1.3  
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