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SVFP4N60CAD

更新时间： 2024-09-24 15:18:43

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士兰微 - SILAN		/
页数	文件大小	规格书
8页	422K
描述
TO-252-2L

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SVFP4N60CAD 数据手册

士兰微电子

SVFP4N60CAMJ/D 说明书

4A、600V N沟道增强型场效应管

描述

SVFP4N60CAMJ/D N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管

采用士兰微电子的 F-Cell^TM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的

工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及

很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，H

桥 PWM 马达驱动。

1.栅极 2.漏极 3.源极

特点



4A，600V，R_DS(on)(_典型值=2.0@V_GS=10V

)

TO-251J-3L

TO-252-2L

低栅极电荷量

低反向传输电容

开关速度快

提升了 dv/dt 能力

产品规格分类

产品名称

封装形式

TO-251J-3L

TO-252-2L

打印名称

P4N60CAMJ

P4N60CAD

环保等级

无卤

包装方式

SVFP4N60CAMJ

SVFP4N60CADTR

料管

编带

无卤

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.1

共 8 页第 1 页

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