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SVFP18N60FJD

更新时间： 2024-09-24 15:19:15

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士兰微 - SILAN		/
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TO-220FJD-3L

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SVFP18N60FJD 数据手册

士兰微电子

SVFP18N60FJD 说明书

18A, 600V N沟道增强型场效应管

描述

SVFP18N60FJD N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采

用士兰微电子的 F-Cell^TM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工

艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很

高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高

压 H 桥 PWM 马达驱动。

1.栅极 2.漏极 3.源极

特点



18A，600V，R_DS(on)(typ.)=0.36@V_GS=10V

低栅极电荷量

低反向传输电容

TO-220FJD-3L

开关速度快

提升了 dv/dt 能力

产品规格分类

产品名称

封装形式

打印名称

环保等级

包装方式

SVFP18N60FJD

TO-220FJD-3L

P18N60FJD

无卤

料管

极限参数（除非特殊说明，T_A=25C）

参数

符号

V_DS

V_GS

参数值

600

单位

漏源电压

栅源电压

±30

T_C=25°C

漏极电流

I_D

T_C=100°C

漏极脉冲电流

I_DM

P_D

耗散功率（T_C=25C）

- 大于 25C 每摄氏度减少

单脉冲雪崩能量（注 1）

0.43

1185

4.5

W/C

E_AS

dv/dt

T_J

体二极管（注 2）

MOS 管 dv/dt 耐用性（注 3）

工作结温范围

V/ns

C

-55～+150

贮存温度范围

T_stg

C

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.0

共 7 页第 1 页

http: //www.silan.com.cn

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