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SVFP10N60CFJD

更新时间： 2024-09-24 15:19:27

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士兰微 - SILAN		/
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TO-220FJD-3L

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SVFP10N60CFJD 数据手册

士兰微电子

SVFP10N60CFJD 说明书

10A、600V N沟道增强型场效应管

描述

SVFP10N60CFJD N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采

用士兰微电子 F-Cell^TM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及

元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪

崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压

H 桥 PWM 马达驱动。

1.栅极 2.漏极 3.源极

特点



10A，600V，R_DS(on)(_典型值=0.75@V_GS=10V

)

低栅极电荷量

低反向传输电容

开关速度快

TO-220FJD-3L

提升了 dv/dt 能力

产品规格分类

产品名称

封装形式

打印名称

环保等级

无卤

包装方式

SVFP10N60CFJD

TO-220FJD-3L

P10N60CFJD

料管

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.1

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