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SVF840F

更新时间： 2024-09-24 18:09:11

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士兰微 - SILAN		/
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描述
TO-220F-3L

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SVF840F 数据手册

士兰微电子

SVF840F/D/S/MJ/FD 说明书

8A、500V N沟道增强型场效应管

描述

SVF840F/D/S/MJ/FD N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体

管采用士兰微电子的 F-Cell^TM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先

进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性

能及很高的雪崩击穿耐量。

TO-220FD-3L

该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高

压 H 桥 PWM 马达驱动。

1.栅极 2.漏极 3.源极

特点



8A，500V，R_DS(on)_{（典型值）}=0.68@V_GS=10V

低栅极电荷量

TO-220F-3L

TO-252-2L

低反向传输电容

开关速度快

提升了 dv/dt 能力

TO-263-2L

TO-251J-3L

产品规格分类

产品名称

SVF840F

封装形式

TO-220F-3L

TO-252-2L

TO-263-2L

TO-251J-3L

TO-220FD-3L

打印名称

SVF840F

SVF840D

SVF840S

SVF840MJ

SVF840FD

环保等级

无铅

包装方式

料管

SVF840DTR

SVF840S

无卤

编带

无卤

料管

SVF840STR

SVF840MJ

SVF840FD

无卤

编带

无卤

料管

无铅

料管

极限参数(除非特殊说明，T_A=25C)

参数值

参数

符号

单位

SVF840F/FD

SVF840D

SVF840S

SVF840MJ

漏源电压

栅源电压

V_DS

V_GS

500

±30

T_C= 25°C

T_C= 100°C

漏极电流

I_D

漏极冲击电流

I_DM

P_D

130

131

120

W/C

耗散功率（T_C=25C）

-大于 25C 每摄氏度减少

0.39

1.04

1.05

0.96

单脉冲雪崩能量（注 1）

E_AS

511.6

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：2.7

共 11 页

第 1 页

http: //www.silan.com.cn

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