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SVF830FJ

更新时间： 2024-09-24 18:09:07

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士兰微 - SILAN		/
页数	文件大小	规格书
11页	679K
描述
TO-220FJ-3L

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SVF830FJ 数据手册

SVF830T/D/MJ/FJ/F 说明书

5A、500V N沟道增强型场效应管

描述

SVF830T/D/MJ/FJ/F N 沟道增强型高压功率MOS 场效应晶体管

采用士兰微电子F-Cell^TM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工

艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很

高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高

压H 桥PWM 马达驱动。

特点



5A，500V，R_DS(on)(_典型值=1.2@V_GS=10V

)

 低栅极电荷量

 低反向传输电容

 开关速度快

 提升了dv/dt 能力

产品规格分类

产品名称

SVF830T

封装形式

TO-220-3L

TO-252-2L

TO-251J-3L

TO-220FJ-3L

TO-220F-3L

打印名称

SVF830T

SVF830D

SVF830MJ

830FJ

环保等级

无铅

包装

料管

编带

料管

无卤

SVF830DTR

SVF830MJ

SVF830FJ

SVF830F

无卤

无铅

SVF830F

极限参数(除非特殊说明，T_C=25C)

参数范围

参数名称

符号

单位

SVF830T

SVF830FJ/F

SVF830D

SVF830MJ

漏源电压

栅源电压

V_DS

V_GS

500

±30

5.0

3.1

T_C=25°C

漏极电流

I_D

T_C=100°C

漏极脉冲电流

I_DM

P_D

耗散功率（T_C=25C）

87.5

0.7

- 大于25C 每摄氏度减少

0.34

0.61

0.64

W/C

C

单脉冲雪崩能量（注 1）

工作结温范围

E_AS

T_J

234

-55～+150

贮存温度范围

T_stg

C

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：2.4

共11 页

第1 页

http: //www.silan.com.cn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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