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SVF7N60F

更新时间： 2025-04-19 18:09:31

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士兰微 - SILAN		/
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10页	510K
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TO-220F-3L

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SVF7N60F 数据手册

SVF7N60F/S/D 说明书

7A、600V N沟道增强型场效应管

描述

SVF7N60F/S/D N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用

士兰微电子的F-Cell^TM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及

元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪

崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压

H 桥PWM 马达驱动。

特点



7A，600V，R_DS(on)(_典型值=0.96@V_GS=10V

)

 低栅极电荷量

 低反向传输电容

 开关速度快

 提升了dv/dt 能力

产品规格分类

产品名称

SVF7N60F

封装形式

打印名称

环保等级

无铅

包装形式

料管

TO-220F-3L

TO-263-2L

TO-252-2L

SVF7N60F

SVF7N60S

SVF7N60D

无卤

料管

SVF7N60S

无卤

编带

SVF7N60STR

SVF7N60DTR

无卤

编带

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：3.2

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SVF7N65F	SILAN	获取价格	N-channel transistor
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SVF7N65S	SILAN	获取价格	N-channel transistor
SVF7N65STR	SILAN	获取价格	N-channel transistor
SVF7N65T	SILAN	获取价格	N-channel transistor
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