Datasheet > SVF6N80MJ

SVF6N80MJ

更新时间： 2024-04-09 19:02:53

品牌	Logo	应用领域
士兰微 - SILAN		/
页数	文件大小	规格书
9页	344K
描述
TO-251J-3L

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SVF6N80MJ 数据手册

士兰微电子

SVF6N80D(K)说明书

6A、800V N沟道增强型场效应管

描述

SVF6N80D(K)(MJ) N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采

用士兰微电子 F-Cell^TM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺

及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高

的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高

压 H 桥 PWM 马达驱动。

1.栅极 2.漏极 3.源极

特点

TO-251J-3L



6A，800V，R_DS(on)(_典型值)=2.0@V_GS=10V

低栅极电荷量

低反向传输电容

开关速度快

提升了 dv/dt 能力

TO-262-3L

TO-252-2L

产品规格分类

产品名称

SVF6N80DTR

SVF6N80K

封装形式

打印名称

环保等级

无卤

包装方式

编带

TO-252-2L

TO-262-3L

TO-251J-3L

SVF6N80D

SVF6N80K

SVF6N80MJ

无铅

料管

SVF6N80MJ

无卤

料管

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.3

共 9 页第 1 页

12 3 4 5 6 7...9

下载PDF

与SVF6N80MJ相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
SVF740CT	SILAN	TO-220-3L	获取价格
SVF7N60CF	SILAN	TO-220F-3L	获取价格
SVF7N65CFJH	SILAN	TO-220FJH-3L	获取价格
SVF7N65CK	SILAN	TO-262-3L	获取价格
SVF7N65CMJ	SILAN	TO-251J-3L	获取价格
SVF7N65F	SILAN	N-channel transistor	获取价格