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SVF6N70D

更新时间： 2024-03-03 10:10:35

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士兰微 - SILAN		/
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11页	444K
描述
TO-252-2L

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SVF6N70D 数据手册

士兰微电子

SVF6N70MJG/D/K/N 说明书

6A、700V N沟道增强型场效应管

描述

SVF6N70MJG/D/K/N N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管

采用士兰微电子的 F-Cell^TM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工

艺及元胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很

高的雪崩击穿耐量。

1.栅极 2.漏极 3.源极

该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压 H

桥 PWM 马达驱动。

特点

TO-251N-3L

TO-262-3L



6A，700V，RDS(on)(典型值)=1.35Ω@VGS=10V

低栅极电荷量

低反向传输电容

开关速度快

TO-251J-3L

TO-252-2L

提升了 dv/dt 能力

产品规格分类

产品名称

SVF6N70MJG

SVF6N70DTR

SVF6N70K

封装形式

打印名称

SVF6N70MJG

SVF6N70D

SVF6N70K

6N70MN

环保等级

无卤

包装方式

料管

TO-251J-3L

TO-252-2L

TO-262-3L

TO-251N-3L

无卤

编带

无铅

料管

SVF6N70MN

无卤

料管

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：3.0

共 11 页第 1 页

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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