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SVF6N25CD

更新时间： 2024-03-03 10:09:32

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士兰微 - SILAN		/
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10页	488K
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TO-252-2L

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SVF6N25CD 数据手册

士兰微电子

SVF6N25CD 说明书

6A, 250V N沟道增强型场效应管

描述

SVF6N25CD N 沟道增强型中低压功率 MOS 场效应晶体管采用

士兰微电子的 F-Cell^TM平面中低压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工

艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很

高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高

压 H 桥 PWM 马达驱动。

1.栅极 2.漏极 3.源极

特点



6A，250V，R_DS(on)(typ.)=0.5@V_GS=10V



低栅极电荷量

低反向传输电容

TO-252-2L



开关速度快



提升了 dv/dt 能力

100%雪崩测试

无铅管脚镀层

符合 RoHS 环保标准

关键特性参数

参数

V_DS

参数值

250

单位

2.0~3.0

0.6

V_GS(th)

R_DS(on)

，



max.

I_D.pulse

Q_g.typ.

9.6

产品规格分类

产品名称

封装形式

打印名称

环保等级

包装方式

SVF6N25CDTR

TO-252-2L

6N25CD

无卤

编带

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.0

共 10 页第 1 页

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