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SVF4N60D

更新时间： 2024-03-03 10:10:14

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士兰微 - SILAN		/
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11页	479K
描述
TO-252-2L

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SVF4N60D 数据手册

士兰微电子

SVF4N60D/F/T/M 说明书

4A、600V N沟道增强型场效应管

描述

SVF4N60D/F/T/M N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采

用士兰微电子的 F-Cell^TM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工

艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高

的雪崩击穿耐量。

TO-252-2L

该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高

压 H 桥 PWM 马达驱动。

1.栅极 2.漏极 3.源极

TO-251D-3L

特点



4A，600V，R_DS(on)_{（典型值）}=2.0@V_GS=10V

低栅极电荷量

TO-220F-3L

低反向传输电容

开关速度快

TO-220-3L

提升了 dv/dt 能力

产品规格分类

产品名称

封装形式

打印名称

环保等级

包装方式

SVF4N60F

TO-220F-3L

SVF4N60F

无铅

料管

SVF4N60T

TO-220-3L

TO-252-2L

TO-251D-3L

SVF4N60T

SVF4N60D

SVF4N60M

无铅

无卤

料管

编带

料管

SVF4N60DTR

SVF4N60M

极限参数(除非特殊说明，T_J=25C)

参数值

参数

符号

单位

SVF4N60F

SVF4N60D/M

SVF4N60T

漏源电压

栅源电压

V_DS

V_GS

600

±30

4.0

T_C=25C

漏极电流

I_D

2.5

T_C=100C

漏极脉冲电流

I_DM

P_D

110

耗散功率（T_C=25C）

-大于 25C 每摄氏度减少

0.26

0.62

0.88

W/C

C

单脉冲雪崩能量（注 1）

工作结温范围

E_AS

T_J

217

-55～+150

贮存温度范围

T_stg

C

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：3.5

共 11 页

第 1 页

http: //www.silan.com.cn

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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SVF4N65CAFJH	SILAN	TO-220FJD-3L	获取价格
SVF4N65CAMJ	SILAN	TO-251J-3L	获取价格
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