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SVF12N60CF

更新时间： 2024-11-18 15:19:03
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士兰微 - SILAN /
页数 文件大小 规格书
7页 325K
描述
TO-220F-3L

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SVF12N60CF 数据手册

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士兰微电子  
SVF12N60CF 说明书  
12A、600V N沟道增强型场效应管  
描述  
2
SVF12N60CF N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士  
兰微电子 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞  
结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击  
穿耐量。  
1
3
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压  
H 桥 PWM 马达驱动。  
1.栅极 2.漏极 3.源极  
特点  
12A，600V， RDS(on)（典型值）=0.58@VGS=10V  
低栅极电荷量  
1
2
低反向传输电容  
3
TO-220F-3L  
开关速度快  
提升了 dv/dt 能力  
产品规格分类  
产品名称  
封装形式  
打印名称  
环保等级  
包装方式  
SVF12N60CF  
TO-220F-3L  
SVF12N60CF  
无卤  
料管  
杭州士兰微电子股份有限公司  
http: //www.silan.com.cn  
版本号：1.5  
共 7 页 第 1 页  
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