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SVD640T

更新时间： 2024-04-09 19:02:11

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士兰微 - SILAN		/
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TO-220-3L

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SVD640T 数据手册

士兰微电子

SVD640T/D/S 说明书

18A、200V N沟道增强型场效应管

描述

SVD640T/D/S N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微

电子的 S-Rin^TM平面 VDMOS 工艺技术制造.先进的工艺及元胞设计结构

使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐

量.

1.栅极 2.漏极 3.源极

该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压

H 桥 PWM 马达驱动.

特点

TO-263-2L



18A，200V，R_DS(on)_{（典型值）}=0.12@V_GS=10V

低栅极电荷量

低反向传输电容

TO-220-3L

TO-252-2L

开关速度快

提升了 dv/dt 能力

产品规格分类

产品名称

SVD640T

封装形式

TO-220-3L

TO-252-2L

TO-263-2L

打印名称

SVD640T

SVD640D

SVD640S

环保等级

无铅

包装方式

料管

无卤

料管

SVD640D

无卤

编带

SVD640DTR

SVD640S

无卤

料管

无卤

编带

SVD640STR

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.4

共 9 页第 1 页

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