2N7000-G

更新时间： 2024-02-07 12:31:29

品牌	Logo	应用领域
超科 - SUPERTEX		晶体小信号场效应晶体管开关输入元件
页数	文件大小	规格书
5页	524K
描述
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N7000-G 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.82
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	0.3 A
最大漏源导通电阻：	5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-226AA	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

2N7000-G 数据手册

2N7000

N-Channel Enhancement-Mode

Vertical DMOS FETs

Features

General Description

► Free from secondary breakdown

► Low power drive requirement

► Ease of paralleling

► Low C_ISSand fast switching speeds

► Excellent thermal stability

► Integral Source-Drain diode

► High input impedance and high gain

► Complementary N- and P-Channel devices

The Supertex 2N7000 is an enhancement-mode (normally-

off) transistor that utilizes a vertical DMOS structure

and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing

process. This combination produces a device with the

power handling capabilities of bipolar transistors, and the

high input impedance and positive temperature coefﬁcient

inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS

structures, this device is free from thermal runaway and

thermally-induced secondary breakdown.

Applications

► Motor controls

► Converters

► Ampliﬁers

► Switches

Supertex’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a

wide range of switching and amplifying applications where

very low threshold voltage, high breakdown voltage, high

input impedance, low input capacitance, and fast switching

speeds are desired.

► Power supply circuits

► Drivers (relays, hammers, solenoids, lamps,

memories, displays, bipolar transistors, etc.)

Ordering Information

R_DS(ON)

(max)

(Ω)

I_D(ON)

BV_DSS/BV_DGS

Device

Package

(min)

(mA)

(V)

2N7000

TO-92

5.0

2N7000-G

-G indicates package is RoHS compliant (‘Green’)

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Pin Conﬁguration

Value

BV_DSS

BV_DGS

±±0V

Drain to source voltage

Drain to gate voltage

Gate to source voltage

Operating and storage temperature

Soldering temperature¹

-55°C to +150°C

+±00°C

Absolute Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device

may occur. Functional operation under these conditions is not implied. Continuous

operation of the device at the absolute rating level may affect device reliability. All

voltages are referenced to device ground.

S G D

TO-92

(front view)

Notes:

1. Distance of 1.6mm from case for 10 seconds.

12 3 4 5

下载PDF

与2N7000-G相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N7000G_11	ONSEMI	Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N.Channel TO.92	获取价格
2N7000-GP002	SUPERTEX	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs	获取价格
2N7000-GP003	SUPERTEX	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs	获取价格
2N7000-GP005	SUPERTEX	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs	获取价格
2N7000-GP013	MICROCHIP	SMALL SIGNAL, FET	获取价格
2N7000-GP013	SUPERTEX	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs	获取价格

与2N7000-G相关文章

MAX487芯片引脚图及功能、应用领域详解
2024-04-17

16
IR2110驱动芯片引脚图及功能、电路图详解
2024-04-17

13
74LS74是什么芯片 74LS74引脚图及功能表
2024-04-16

14
CD4511芯片引脚图及功能、电路图解析
2024-04-15

24

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2N7000-G

2N7000-G 技术参数

2N7000-G 数据手册

与2N7000-G相关器件

与2N7000-G相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2N7000-G

2N7000-G 技术参数

2N7000-G 数据手册

与2N7000-G相关器件

与2N7000-G相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？