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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 雪崩能效等级（Eas）： | 1.25 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 250 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 17 A | 最大漏极电流 (ID)： | 17 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.165 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 136 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SUP18N15-95 | VISHAY |
获取价格 |
N - Channel 150 - V (D-S) 175C MOSFET |
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| SUP28N15-52 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 150-V (D-S) 175 C MOSFET |
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| SUP28N15-52_07 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 150-V (D-S) 175 Celsius MOSFET |
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| SUP28N15-52E3 | VISHAY |
获取价格 |
POWER, FET |
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| SUP28N15-52-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 150V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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| SUP33N20-60P-E3 | VISHAY |
获取价格 |
SUP33N20-60P - N-Channel 200-V (D-S) MOSFET |
|
| SUP36N20-54P | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 200-V (D-S) 150 Celsius MOSFET |
|
| SUP36N20-54P-E3 | VISHAY |
获取价格 |
MOSFET N-CH D-S 200V TO220AB |
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| SUP40010EL | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 40 V (D-S) MOSFET |
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| SUP40012EL | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 40 V (D-S) MOSFET |
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