SUM8.2FTXV

更新时间： 2024-11-09 13:14:07

品牌	Logo	应用领域
SSDI		整流二极管高压
页数	文件大小	规格书
2页	78K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2

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SUM8.2FTXV 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	O-XALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.31	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-XALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	0.5 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
参考标准：	MIL-19500	最大反向恢复时间：	0.45 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

SUM8.2FTXV 数据手册

SUM8.2F & FSMS

Solid State Devices, Inc.

14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

0.5 AMP

8200 VOLTS

450 nsec

Designer’s Data Sheet

Part Number / Ordering Information ^1/

HIGH VOLTAGE

RECTIFIER

SUM 8.2 F _ _ __

L Screening^2/= None

TX = TX Level

⏐

TXV = TXV Level

S = S Level

FEATURES:

•

Fast Recovery: 450 nsec Maximum

PIV 8200 Volts

Hermetically Sealed Axial and Surface Mount

Package

Void-Free Construction

Package

___ = Axial

SMS = Surface Mount Square Tab

Recovery Time

F = Fast Recovery

•

Voltage

Metallurgically Bonded

8.2 = 8200 V

175°C Maximum Operating Temperature

TX, TXV, and Space Level Screening Available^2/

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Maximum

Surge

Current

(1 Cycle)

Maximum

Reverse

Recovery

Time

Peak

Inverse

Voltage

Average

Rectifier

Current

Maximum

Forward

Voltage

Maximum

Junction

Typical

Thermal

Maximum

Reverse Current

Part

Number

Capacitance Impedance

Symbol

Units

PIV

FSM

JL/ JE

Volts

25°C

Amps

25°C

nsec

°C/W

μA

Volts

= 100V

= 1MHZ

Conditions

SUM8.2F

25°C 100°C

25°C

100°C

25°C

L = 3/8”

8200 500 300

1.0

450

1/ For Ordering Information, Price, and Availability – Contact Factory.

2/ Screening based on MIL-PRF-19500. Screening flows available on request.

3/ Operating and testing over 10,000 V/inch may require encapsulation or immersion in a

suitable dielectric material.

Axial

Surface Mount

Square Tab

4/ I_F= I_O; Max. forward voltage measured with instantaneous forward pulse of 300µsec

minimum.

5/ Max. Lead/End Tab temp. for soldering is 250°C, 3/8” from case for 5 sec maximum.

6/ Operating and storage temperature: -65°C to +175°C.

7/ Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=.25A, TA=25°C.

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: RC0052B

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SUM80090E	VISHAY	获取价格	N-Channel 150 V (D-S) MOSFET
SUM80090E-GE3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 128A I(D), 150V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
SUM80F	SSDI	获取价格	500 mA 6,000 thru 9,000 VOLTS 180 ns FAST RECOVERY RECTIFIER
SUM80FS	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, AXIAL, 2 PIN
SUM80FSMS	SSDI	获取价格	500 mA 6,000 thru 9,000 VOLTS 180 ns FAST RECOVERY RECTIFIER
SUM80FSMSTXV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, SMS, 2 PIN
SUM80FTX	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, AXIAL, 2 PIN
SUM80FTXV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, AXIAL, 2 PIN
SUM80UF	SSDI	获取价格	400 mA 6,000 thru 9,000 VOLTS 60 ns ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIER
SUM80UFS	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2

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