是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.88 | 配置: | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 90 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609代码: | e0 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 125 W | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SUM75N06-09L_08 | VISHAY |
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N-Channel 60-V (D-S), 175 °C MOSFET | |
SUM75N06-09L-E3 | VISHAY |
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N-Channel 60-V (D-S), 175 °C MOSFET | |
SUM75N15-18P | VISHAY |
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N-Channel 150-V (D-S) MOSFET | |
SUM75N15-18P-E3 | VISHAY |
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N-Channel 150-V (D-S) MOSFET | |
SUM8.2F | SSDI |
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HIGH VOLTAGE RECTIFIER | |
SUM8.2FS | SSDI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 | |
SUM8.2FSMS | SSDI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 | |
SUM8.2FSMSS | SSDI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 | |
SUM8.2FSMSTX | SSDI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 | |
SUM8.2FSMSTXV | SSDI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |