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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SUM70N06-11
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SUM70N06-11

更新时间： 2024-09-28 22:29:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
5页 46K
描述
N-Channel 60-V (D-S), 175 C MOSFET

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SUM70N06-11 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.44
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：70 A
最大漏极电流 (ID)：70 A最大漏源导通电阻：0.011 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：120 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：160 A子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SUM70N06-11 数据手册

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SUM70N06-11  
New Product  
Vishay Siliconix  
N-Channel 60-V (D-S), 175_C MOSFET  
FEATURES  
D TrenchFETr Power MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
D 175_C Junction Temperature  
V(BR)DSS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
D New Low Thermal Resistance Package  
APPLICATIONS  
60  
0.011  
70  
D Automotive and Industrial  
D
TO-263  
G
G
D S  
Top View  
SUM70N06-11  
S
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
C
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Gate-Source Voltage  
V
"20  
70  
V
GS  
T
= 25_C  
= 100_C  
C
Continuous Drain Current (T = 175_C)  
I
J
D
T
49  
C
A
Pulsed Drain Current  
Avalanche Current  
I
160  
35  
DM  
I
AR  
a
Repetitive Avalanche Energy  
L = 0.1 mH  
E
AR  
61  
mJ  
b
T
T
= 25_C  
= 25_C  
120  
C
Power Dissipation  
P
D
W
c
3.75  
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
-55 to 175  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
c
Junction-to-Ambient—PCBMount  
R
40  
thJA  
thJC  
_
C/W  
Junction-to-Case  
R
1.25  
Notes:  
a. Duty cycle v 1%.  
b. See SOA curve for voltage derating.  
c. When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).  
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm  
Document Number: 72008  
www.vishay.com  
S-03592—Rev. B, 31-Mar-03  
1
 
12345

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与SUM70N06-11相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SUM70N06-11-E3 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 60V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SUM70UF SSDI

获取价格

 		400 mA 6,000 thru 9,000 VOLTS 60 ns ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIER
SUM70UFS SSDI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
SUM70UFSMS SSDI

获取价格

 		400 mA 6,000 thru 9,000 VOLTS 60 ns ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIER
SUM70UFSMSTX SSDI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
SUM70UFSMSTXV SSDI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
SUM75N06-09L VISHAY

获取价格

 		N-Channel 60-V (D-S), 175 °C MOSFET
SUM75N06-09L_08 VISHAY

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SUM75N15-18P VISHAY

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