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SUM70N04-07L

更新时间： 2024-09-28 22:42:35

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管
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5页	45K
描述
N-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET

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SUM70N04-07L 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.85	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	70 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	100 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SUM70N04-07L 数据手册

SUM70N04-07L

Vishay Siliconix

New Product

N-Channel 40-V (D-S) 175_C MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFET

V_(BR)DSS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

D 175_C Junction Temperature

0.0074 @ V = 10 V

D Low Threshold

APPLICATIONS

0.011 @ V = 4.5 V

D Motor Control

D Automotive

- 12-V Boardnet

TO-263

D S

Top View

Ordering Information: SUM70N04-07L

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

ꢀ

= 25_C

Continuous Drain Current (T = 175_C)

= 125_C

120

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

Repetitive Avalanche Energy

L = 0.1 mH

= 25_C

100

Maximum Power Dissipation

= 25_C

3.75

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 175

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Junction-to-Ambient

Junction-to-Case

PCB Mount

thJA

thJC

C/W

1.4

Notes

a. Package limited.

b. Duty cycle ꢁ 1%.

c. See SOA curve for voltage derating.

d. When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).

Document Number: 72345

S-31617—Rev. A, 11-Aug-03

www.vishay.com

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