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SUM09N20-270

更新时间： 2024-01-12 09:06:30

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威世 - VISHAY		/
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5页	41K
描述
N-Channel 200-V (D-S) 175 Degree Celcious MOSFET

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SUM09N20-270 技术参数

是否无铅：	含铅	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9 A	最大漏极电流 (ID)：	9 A
最大漏源导通电阻：	0.3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	60 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SUM09N20-270 数据手册

SUM09N20-270

Vishay Siliconix

New Product

N-Channel 200-V (D-S) 175_C MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFETS

D 175_C Junction Temperature

V_(BR)DSS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

D New Low Thermal Resistance Package

0.270 @ V = 10 V

200

0.300 @ V = 6 V

8.5

TO-263

D S

Top View

Ordering Information: SUM09N20-270

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

200

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

= 25_C

= 125_C

5.2

Continuous Drain Current (T = 175_C)

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

Repetitive Avalanche Energy

L = 0.1 mH

2.45

= 25_C

Maximum Power Dissipation

= 25_C

3.75

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 175

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Junction-to-Ambient (PCB Mount)

thJA

thJC

C/W

Junction-to-Case (Drain)

2.5

Notes

a. Duty cycle v 1%.

b. See SOA curve for voltage derating.

c. When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).

Document Number: 72158

S-03414—Rev. A, 03-Mar-03

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SUM09N20-270_06	VISHAY	获取价格	N-Channel 200-V (D-S), 175Celsius MOSFET
SUM100F	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, 10000V V(RRM), Silicon,
SUM100FS	SSDI	获取价格	Rectifier Diode
SUM100FSMS	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, 10000V V(RRM), Silicon,
SUM100FSMSS	SSDI	获取价格	Rectifier Diode
SUM100FSMSTX	SSDI	获取价格	Rectifier Diode
SUM100FSMSTXV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode
SUM100FTX	SSDI	获取价格	Rectifier Diode
SUM100FTXV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode
SUM100UF	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 10000V V(RRM), Silicon,