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SUB45N03-13L-E3

更新时间： 2024-09-16 21:22:23

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威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
5页	64K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SUB45N03-13L-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.83	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	45 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	3.75 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	Base Number Matches：	1

SUB45N03-13L-E3 数据手册

SUB45N03-13L

Vishay Siliconix

N-Channel 30-V (D-S), 175_C MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFETS

D 175_C Junction Temperature

V_(BR)DSS(V)

r_DS(on)

(

ꢀ

)

I_D(A)

0.013 @ V = 10 V

0.02 @ V = 4.5 V

TO-263

D S

Top View

SUB45N03-13L

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

= 25_C

= 125_C

Continuous Drain Current (T = 175_C)

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

100

Repetitive Avalanche Energy

L = 0.1 mH

100

= 25_C

Maximum Power Dissipation

= 25_C

3.75

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 175

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Junction-to-Ambient

PCB Mount

thJA

thJC

C/W

Junction-to-Case (Drain)

1.7

Notes

a. Package limited.

b. Duty cycle v 1%.

c. See SOA curve for voltage derating.

d. When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).

For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm

Document Number: 71740

S-05010—Rev. G, 05-Nov-01

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SUB5008OHM-BLACK	ETC	获取价格	CABINET SPEAKER 50W 8OHM BLACK
SUB5008OHM-WHITE	ETC	获取价格	CABINET SPEAKER WHITE 50W 8OHM
SUB500T-BLACK	ETC	获取价格	CABINET SPEAKER 50W 100V BLACK
SUB500T-WHITE	ETC	获取价格	CABINET SPEAKER WHITE 50W 100V
SUB50N03-20C	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 50A I(D) \| TO-264VAR
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