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STZT5401

更新时间： 2024-01-17 00:48:56

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		放大器功率放大器
页数	文件大小	规格书
4页	73K
描述
MEDIUM POWER AMPLIFIER

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STZT5401 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-223
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.8	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
集电极-发射极最大电压：	150 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

STZT5401 数据手册

STZT5401

MEDIUM POWER AMPLIFIER

ADVANCE DATA

■

SILICON EPITAXIAL PLANAR PNP

TRANSISTORS

MINIATURE PLASTIC PACKAGE FOR

APPLICATION IN SURFACE MOUNTING

CIRCUITS

■

GENERAL PURPOSE MAINLY INTENDED

FOR USE IN MEDIUM POWER INDUSTRIAL

APPLICATION AND FOR AUDIO AMPLIFIER

OUTPUT STAGE

SOT-223

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

-180

Unit

Collector-Base Voltage (I_E= 0)

Collector-Emitter Voltage (I_B= 0)

Emitter-Base Voltage (I_C= 0)

Collector Current

-160

-5

-0.6

P_tot

Total Dissipation at T_c= 25 C

-1.5

^oC

T_stg

Storage Temperature

-65 to 150

150

T_j

Max. Operating Junction Temperature

1/4

October 1997

12 3 4

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