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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-247 | 包装说明： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.8 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 300 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 14 A | 最大漏极电流 (ID)： | 14 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.299 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-247 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 56 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STW15NM60ND | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V - 0.27 Ω - 14 A - FDmesh™ II |
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| STW15NM65N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 650V - 0.25ヘ - 15.5A - TO-220/FP - |
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| STW160N75F3 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 75V - 3.5m ohm - 120A - TO-220 - TO-247 - D2PAK MDmesh TM low voltage Power MOSF |
|
| STW16N40 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-247 |
|
| STW16N65M5 | STMICROELECTRONICS |
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12A, 650V, 0.279ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
|
| STW16NA40 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 400V - 0.21ohm - 16A - TO-247/ISOWATT218 POWER MOS TRANSISTORS |
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| STW16NA40FI | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 400V - 0.21ohm - 16A - TO-247/ISOWATT218 POWER MOS TRANSISTORS |
|
| STW16NA60 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
|
| STW16NB60 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V - 0.3ohm - 16A TO-247 PowerMes |
|
| STW16NK60Z | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V - 0.38з - 14A TO-220 / I2SPAK |
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