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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STW10NC60
STW10NC60 PDF预览

STW10NC60

更新时间： 2024-02-03 15:17:01
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 340K
描述
N-CHANNEL 600V - 0.6ohm - 10A - TO-247/ISOWATT218 PowerMesh⑩II MOSFET

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STW10NC60 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-247包装说明：TO-247, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：820 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：10 A最大漏极电流 (ID)：10 A
最大漏源导通电阻：0.75 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：160 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STW10NC60 数据手册

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STW10NC60  
STH10NC60FI  
N-CHANNEL 600V - 0.6Ω - 10A - TO-247/ISOWATT218  
PowerMesh™II MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STW10NC60  
STH10NC60FI  
600 V  
600 V  
< 0.75 Ω  
< 0.75 Ω  
10 A  
10 A (*)  
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.6 Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
2
3
1
2
1
TO-247  
ISOWATT218  
DESCRIPTION  
The PowerMESH™II is the evolution of the first  
generation of MESH OVERLAY™. The layout re-  
finements introduced greatly improve the Ron*area  
figure of merit while keeping the device at the lead-  
ing edge for what concerns swithing speed, gate  
charge and ruggedness.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVER  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
STW10NC60 STH10NC60FI  
Unit  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
600  
600  
±30  
V
V
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
V
I
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
10  
6.3  
40  
10 (*)  
6.3 (*)  
40 (*)  
60  
A
D
C
I
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
A
D
C
I
(1)  
Drain Current (pulsed)  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
160  
1.28  
W
TOT  
C
Derating Factor  
0.48  
W/°C  
V/ns  
V
dv/dt  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
3.5  
V
ISO  
-
2500  
T
stg  
– 55 to 150  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(1)I ≤10A, di/dt ≤100A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
j JMAX  
(•)Pulse width limited by safe operating area  
SD  
DD  
(BR)DSS  
(*) Limited only by Maximum Temperature Allowed  
.
February 2002  
1/9  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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