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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STW10NA50
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STW10NA50

更新时间： 2024-01-25 23:29:29
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
11页 244K
描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR

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STW10NA50 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-247包装说明：TO-247, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.82Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：460 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：9.6 A
最大漏极电流 (ID)：9.6 A最大漏源导通电阻：0.8 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：38 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STW10NA50 数据手册

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STH10NA50/FI  
STW10NA50  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
FAST POWER MOS TRANSISTOR  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STH10NA50  
STH10NA50FI  
STW10NA50  
500 V  
500 V  
500 V  
< 0.8 Ω  
< 0.8 Ω  
< 0.8 Ω  
9.6 A  
5.6 A  
9.6 A  
TO-247  
■
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.7 Ω  
± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING  
3
2
100% AVALANCHE TESTED  
1
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC  
LOW INTRINSIC CAPACITANCES  
GATE GHARGE MINIMIZED  
REDUCED THRESHOLD VOLTAGE SPREAD  
3
3
2
DESCRIPTION  
This series of POWER MOSFETS represents the  
most advanced high voltage technology. The  
2
1
1
TO-218  
ISOWATT218  
optimized cell layout coupled with  
a new  
proprietary edge termination concur to give the  
device low RDS(on) and gate charge, unequalled  
ruggedness and superior switching performance.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
STW/STH10NA50 STH10NA50FI  
Unit  
VDS  
VDG R  
VGS  
ID  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain-gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
500  
500  
± 30  
V
V
V
9.6  
6.1  
38  
5.6  
3.5  
A
ID  
A
IDM(•)  
Ptot  
38  
A
Total Dissipation at Tc = 25 oC  
150  
1.2  
60  
W
W/oC  
V
oC  
oC  
Derating Factor  
0.48  
4000  
VISO  
Tstg  
Tj  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
-65 to 150  
150  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/11  
November 1996  
1234567...11

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