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STVHD90

更新时间: 2024-02-29 14:05:57
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页数 文件大小 规格书
5页 142K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 52A I(D) | TO-220

STVHD90 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SFM包装说明:TO-220, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.92
Is Samacsys:N雪崩能效等级(Eas):500 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):52 A最大漏极电流 (ID):52 A
最大漏源导通电阻:0.023 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):350 pFJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:150 W
最大功率耗散 (Abs):125 W最大脉冲漏极电流 (IDM):208 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON最大开启时间(吨):520 ns
Base Number Matches:1

STVHD90 数据手册

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