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STV270N4F3

更新时间： 2024-01-16 10:41:13

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
页数	文件大小	规格书
12页	772K
描述
N-channel 40 V, 1.25 mΩ, 270 A, PowerSO-10 STripFET™ Power MOSFET

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STV270N4F3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G10
针数：	10	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	12 weeks
风险等级：	2.29	雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	270 A
最大漏极电流 (ID)：	270 A	最大漏源导通电阻：	0.0015 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G10
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	3
元件数量：	1	端子数量：	10
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	250
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	1080 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STV270N4F3 数据手册

STV270N4F3

N-channel 40 V, 1.25 mΩ, 270 A, PowerSO-10

STripFET™ Power MOSFET

Features

R_DS(on)

max

(1)

Type

V_DSS

I_D

STV270N4F3

40 V

< 1.5 mΩ

270 A

1. Current limited by package

PowerSO-10

■ Conduction losses reduced

■ Low profile, very low parasitic inductance

Applications

■ Switching application

Figure 1.

Internal schematic diagram and

connection diagram (top view)

Description

This n-channel enhancement mode Power

MOSFET is the latest refinement of

STMicroelectronics' unique “single feature size“

strip-based process, which has decreased the

critical alignment steps, offering remarkable

manufacturing reproducibility. The outcome is a

transistor with extremely high packing density for

low on resistance, rugged avalanche

characteristics and low gate charge.

Table 1.

Device summary

Order code

STV270N4F3

Marking

Package

PowerSO-10

Packaging

270N4F3

Tape and reel

October 2008

Rev 3

1/12

www.st.com

12 3 4 5 6 7...12

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