STTH8R03DJF-TR

更新时间： 2024-11-02 13:14:07

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
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描述
300 V, 8 A PowerFLAT High Efficiency Ultrafast Diode

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STTH8R03DJF-TR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	6 X 5 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, POWERFLAT-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	2.26	应用：	ULTRA SOFT RECOVERY
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.3 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-N5
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	280 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	5
最高工作温度：	175 °C	最大输出电流：	8 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大重复峰值反向电压：	300 V	最大反向电流：	40 µA
最大反向恢复时间：	0.05 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

STTH8R03DJF-TR 数据手册

STTH8R03G/D

300V HYPERFAST RECTIFIER

MAJOR PRODUCT CHARACTERISTICS

I_F(AV)

8 A

300 V

V_RRM

I_RM(typ.)

Tj (max)

V_F(max)

trr (max)

175 °C

1.3 V

30 ns

TO-220AC

STTH8R03D

FEATURES AND BENEFITS

■

Designed for high frequency applications.

Hyperfast recovery competes with GaAs devices.

Allows size decrease of snubbers and heatsinks.

DESCRIPTION

The TURBOSWITCH "R" is an ultra high

performance diode.

This TURBOSWITCH family, which drastically

cuts losses in associated MOSFET when run at

high dIF/dt, is suited for HF OFF-Line SMPS and

DC/DC converters.

D²PAK

STTH8R03G

ABSOLUTE RATINGS (limiting values, per diode)

Symbol

Parameter

Repetitive peak reverse voltage

Value

Unit

V_RRM

300

I_F(RMS)

I_F(AV)

I_FSM

T_stg

RMS forward current

Average forward current

Tc = 140°C δ = 0.5

Surge non repetitive forward current

Storage temperature range

Maximum operating junction temperature

tp = 10 ms sinusoidal

- 65 + 175

+ 175

°C

February 2001 - Ed: 1H

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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