STTH810

更新时间： 2024-02-21 02:31:18

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		二极管
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描述
Ultrafast recovery - high voltage diode

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STTH810 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.71
其他特性：	LOW LEAKAGE CURRENT, SNUBBER DIODE	应用：	HIGH VOLTAGE ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	2 V	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	60 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	8 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
参考标准：	AEC-Q101	最大重复峰值反向电压：	1000 V
最大反向电流：	5 µA	最大反向恢复时间：	0.085 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

STTH810 数据手册

STTH810

Ultrafast recovery - high voltage diode

Main product characteristics

I_F(AV)

V_RRM

T_j

8 A

1000 V

175° C

1.30 V

47 ns

V_F(typ)

t_rr(typ)

Features and benefits

TO-220AC

STTH810D

TO-220FPAC

STTH810FP

■ Ultrafast, soft recovery

■ Very low conduction and switching losses

■ High frequency and/or high pulsed current

operation

■ High reverse voltage capability

■ High junction temperature

■ Insulated packages:

– TO-220Ins

– Electrical insulation = 2500 V_RMS

Capacitance = 7 pF

– TO-220FPAC

D²PAK

STTH810G

TO-220Ins

STTH810DI

Electrical insulation = 2500 V_RMS

Capacitance = 12 pF

Order codes

Description

Part Number

Marking

The high quality design of this diode has

produced a device with low leakage current,

regularly reproducible characteristics and intrinsic

ruggedness. These characteristics make it ideal

for heavy duty applications that demand long term

reliability.

STTH810D

STTH810G

STTH810D

STTH810G

STTH810FP

STTH810DI

STTH810G-TR

STTH810FP

STTH810DI

Such demanding applications include industrial

power supplies, motor control, and similar

mission-critical systems that require rectification

and freewheeling. These diodes also fit into

auxiliary functions such as snubber, bootstrap,

and demagnetization applications.

The improved performance in low leakage

current, and therefore thermal runaway guard

band, is an immediate competitive advantage for

this device.

March 2006

Rev 1

1/11

www.st.com

12 3 4 5 6 7...11

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