STTH806DTI

更新时间： 2024-01-01 15:57:28

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		二极管
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5页	42K
描述
Tandem 600V HYPERFAST BOOST DIODE

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STTH806DTI 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
Factory Lead Time：	11 weeks	风险等级：	0.67
应用：	ULTRA FAST RECOVERY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	3.6 V
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	80 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	8 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	600 V	最大反向恢复时间：	0.03 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

STTH806DTI 数据手册

STTH806DTI

Tandem 600V HYPERFAST BOOST DIODE

MAJOR PRODUCTS CHARACTERISTICS

I_F(AV)

V_RRM

8 A

600 V

150 °C

2.4 V

4 A

Tj (max)

V_F(max)

I_RM(typ.)

t_rr(typ.)

13 ns

FEATURES AND BENEFITS

Insulated TO-220AB

■

ESPECIALLY SUITED AS BOOST DIODE IN

CONTINUOUS MODE POWER FACTOR

CORRECTORS AND HARD SWITCHING

CONDITIONS

DESIGNED FOR HIGH DI/DT OPERATION.

HYPERFAST RECOVERY CURRENT TO

COMPETE WITH SIC DEVICES. ALLOWS

DOWNSIZING OF MOSFET AND HEATSINKS

INTERNAL CERAMIC INSULATED DEVICES

WITH EQUAL THERMAL CONDITIONS FOR

BOTH 300V DIODES

DESCRIPTION

The TURBOSWITCH “H” is an ultra high

performance diode composed of two 300V dice in

series. TURBOSWITCH “H” family drastically cuts

losses in the associated MOSFET when run at

high dI_F/dt.

■

INSULATION

(2500V_RMS

)

ALLOWS

PLACEMENT ON SAME HEATSINK AS

MOSFET AND FLEXIBLE HEATSINKING ON

COMMON OR SEPARATE HEATSINK

■

STATIC AND DYNAMIC EQUILIBRIUM OF

INTERNAL DIODES ARE WARRANTED BY

DESIGN

PACKAGE CAPACITANCE: C=7pF

ABSOLUTE RATINGS (limiting values)

Symbol

Parameter

Value

Unit

V_RRM

600

Repetitive peak reverse voltage

RMS forward current

I_F(RMS)

I_FSM

Ipeak

T_stg

Surge non repetitive forward current

Peak current waveform

tp = 10 ms sinusoidal

δ = 0.15 Tc = 130°C

-65 +150

+ 150

°C

Storage temperature range

Maximum operating junction temperature

October 2003 - Ed: 2A

1/5

12 3 4 5

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STTH806DTI 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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STTH12R06D	STMICROELECTRONICS	类似代替	TURBO 2 ULTRAFAST HIGH VOLTAGE RECTIFIER

与STTH806DTI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STTH806DTI_05	STMICROELECTRONICS	获取价格	Tandem 600V HYPERFAST BOOST DIODE
STTH806DTI_07	STMICROELECTRONICS	获取价格	Tandem 600 V hyperfast boost diode
STTH806F	STMICROELECTRONICS	获取价格	暂无描述
STTH806G	STMICROELECTRONICS	获取价格	Turbo 2 ultrafast - high voltage rectifier
STTH806G-TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	Turbo 2 ultrafast - high voltage rectifier
STTH806TTI	STMICROELECTRONICS	获取价格	TURBOSWITCHO Tandem 600V ULTRA-FAST BOOST DIODE
STTH808D	SENO	获取价格	8.0A GLASS PASSIVATED ULTRAFAST DIODE
STTH80S06W	SAMTEC	获取价格	80Amperes,600Volt SwitchMode Type Single Fast Recovery Epitaxial Diode
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