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STTH806D PDF预览

STTH806D

更新时间： 2024-02-18 22:27:08
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 整流二极管高压局域网超快恢复二极管高压超快恢复二极管快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
9页 132K
描述
Turbo 2 ultrafast - high voltage rectifier

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STTH806D 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：11 weeks风险等级：0.67
应用：ULTRA FAST RECOVERY外壳连接：ISOLATED
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：3.6 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：80 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最大输出电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：600 V最大反向恢复时间：0.03 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

STTH806D 数据手册

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STTH806  
Turbo 2 ultrafast - high voltage rectifier  
Main product characteristics  
A
K
K
IF(AV)  
VRRM  
Tj  
8 A  
600 V  
175° C  
1.1 V  
35 ns  
A
NC  
2
VF (typ)  
trr (max)  
D PAK  
STTH806G  
Features and benefits  
A
A
■ Ultrafast switching  
K
K
■ Low reverse current  
■ Low thermal resistance  
TO-220AC  
STTH806D  
TO-220AC Ins  
STTH806DIRG  
■ Reduces conduction and switching losses  
■ Insulated package TO-220AC Ins  
Order codes  
– Insulated voltage: 2500 V  
RMS  
Part Number  
Marking  
– Typical package capacitance: 7 pF  
STTH806G  
STTH806G  
STTH806G  
STTH806D  
STTH806DI  
Description  
STTH806G-TR  
STTH806D  
The STTH806 uses ST Turbo2 600 V technology.  
This device is specially suited for use in switching  
power supplies, and industrial applications.  
STTH806DIRG  
Table 1.  
Symbol  
Absolute ratings (limiting values per diode at 25° C, unless otherwise specified)  
Parameter  
Value  
Unit  
VRRM  
Repetitive peak reverse voltage  
600  
V
A
TO-220AC, D2PAK  
TO-220 Ins  
30  
IF(RMS) RMS forward current  
24  
A
Tc = 140° C  
Tc = 120° C  
TO-220AC, D2PAK  
8
A
IF(AV)  
Average forward current, δ = 0.5  
TO-220 Ins  
8
90  
A
IFSM  
Tstg  
Surge non repetitive forward current tp = 10 ms Sinusoidal  
Storage temperature range  
A
-65 to + 175  
175  
°C  
°C  
Tj  
Maximum operating junction temperature(1)  
dP  
1.  
condition to avoid thermal runaway for a diode on its own heatsink  
tot  
1
--------------- < -------------------------  
dT  
R
j
th(j – a)  
August 2006  
Rev 2  
1/9  
www.st.com  
1234567...9

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STTH806D 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
ER806-G SENSITRON

功能相似

 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 600V V(RRM), Silicon, TO-220AC, LEAD FREE, PLASTI
15ETL06PBF VISHAY

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 Ultralow VF Hyperfast Rectifier for Discontinuous Mode PFC, 15 A FRED Pt

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		暂无描述
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