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STTH2003CF

更新时间: 2024-09-25 22:42:39
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 整流二极管局域网超快软恢复二极管快速软恢复二极管
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8页 135K
描述
HIGH FREQUENCY SECONDARY RECTIFIER

STTH2003CF 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-220AB包装说明:R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.52Is Samacsys:N
应用:ULTRA FAST SOFT RECOVERY外壳连接:ISOLATED
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.25 V
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:110 A
元件数量:2相数:1
端子数量:3最高工作温度:175 °C
最大输出电流:10 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:300 V最大反向恢复时间:0.035 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

STTH2003CF 数据手册

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®
STTH2003CT/CG/CF/CR/CFP  
HIGH FREQUENCY SECONDARY RECTIFIER  
MAJOR PRODUCT CHARACTERISTICS  
K
A1  
A2  
K
IF(AV)  
2 x 10 A  
300 V  
175 °C  
1 V  
VRRM  
A2  
Tj (max)  
VF (max)  
trr (max)  
A1  
D2PAK  
STTH2003CG  
35 ns  
A2  
FEATURES AND BENEFITS  
K
A1  
COMBINES HIGHEST RECOVERY AND  
REVERSE VOLTAGE PERFORMANCE  
ULTRA-FAST, SOFT AND NOISE-FREE  
RECOVERY  
INSULATED PACKAGES: ISOWATT220AB,  
TO-220FPAB  
I2PAK  
A2  
STTH2003CR  
K
A1  
TO-220AB  
STTH2003CT  
Electric insulation: 2000VDC  
Capacitance: 12pF  
A2  
DESCRIPTION  
K
A1  
Dual center tap Fast Recovery Epitaxial Diodes  
suited for Switch Mode Power Supply and high  
frequency DC/DC converters.  
A2  
ISOWATT220AB  
STTH2003CF  
K
A1  
TO-220FPAB  
STTH2003CFP  
Packaged in TO-220AB, ISOWATT220AB,  
TO-220FPAB, I2PAK or D2PAK, this device is  
especially intended for secondary rectification.  
ABSOLUTE RATINGS (limiting values, per diode)  
Symbol  
Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Value  
Unit  
VRRM  
300  
V
IF(RMS)  
IF(AV)  
30  
A
A
RMS forward current  
Average forward TO-220AB / D2PAK /  
Tc=140°C  
Per diode  
Per device  
10  
20  
current δ = 0.5  
I2PAK  
Tc=125°C  
Tc=115°C  
ISOWATT220AB  
TO-220FPAB  
IFSM  
IRSM  
Tstg  
Tj  
110  
5
A
A
Surge non repetitive forward current  
Non repetitive avalanche current  
Storage temperature range  
tp = 10 ms sinusoidal  
tp = 20 µs square  
-65 + 175  
175  
°C  
°C  
Maximum operating junction temperature  
August 2003 - Ed: 7D  
1/8  

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