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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> STT13005D-K
STT13005D-K PDF预览

STT13005D-K

更新时间： 2024-11-12 08:58:47
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体开关晶体管功率双极晶体管高压局域网
页数 文件大小 规格书
10页 265K
描述
High voltage fast-switching NPN power transistor

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STT13005D-K 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：8.01Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：400 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小直流电流增益 (hFE)：8
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：45 W
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STT13005D-K 数据手册

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STT13005D  
High voltage fast-switching NPN power transistor  
Features  
■ Integrated antiparallel collector-emitter diode  
■ High voltage capability  
■ Minimum lot-to-lot spread for reliable operation  
■ Very high switching speed  
Applications  
1
2
■ Electronic ballast for fluorescent lighting  
3
SOT-32  
■ Flyback and forward single transistor low  
power converters  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
Description  
The device is manufactured using high voltage  
multi-epitaxial planar technology for high  
switching speeds and medium voltage capability.  
It uses a cellular emitter structure with planar  
edge termination to enhance switching speeds  
while maintaining the wide RBSOA.  
The device is designed for use in lighting  
applications and low cost switch-mode power  
supplies.  
Table 1.  
Device summary  
Order codes  
Marking  
Package  
SOT-32  
SOT-32  
Packaging  
STT13005D  
T13005D  
T13005D  
Tube  
Bag  
STT13005D-K  
November 2009  
Doc ID 14897 Rev 2  
1/10  
www.st.com  
10  
1234567...10

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STT13005D-K 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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