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STS9DNH3LL

更新时间： 2024-11-12 20:53:23

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	76K
描述
9A, 30V, 0.017ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SO-8

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STS9DNH3LL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
其他特性：	FAST SWITCHING	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9 A
最大漏极电流 (ID)：	9 A	最大漏源导通电阻：	0.017 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	36 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

STS9DNH3LL 数据手册

STS9DNH3LL

DUAL N-CHANNEL 30V - 0.013 Ω - 9A SO-8

LOW GATE CHARGE STripFET™ III MOSFET

TARGET DATA

DSS

TYPE

DS(on)

STS9DNH3LL

30 V

<0.015 Ω

9 A

■

TYPICAL R (on) = 0.013Ω

OPTIMAL R (on) x Qg TRADE-OFF @ 4.5V

CONDUCTION LOSSES REDUCED

SWITCHING LOSSES REDUCED

DESCRIPTION

This application specific Power MOSFET is the Third

generation of STMicroelectronis unique "Single Feature

Size™" strip-based process. The resulting transistor

shows the best trade-off between on-resistance and gate

charge. When used as high and low side in buck

regulators, it gives the best performance in terms of both

conduction and switching losses. This is extremely

important for motherboards where fast switching and

high efficiency are of paramount importance.

SO-8

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

APPLICATIONS

■

SPECIFICALLY DESIGNED AND OPTIMISED

FOR HIGH EFFICIENCY CPU CORE DC/DC

CONVERTERS FOR MOBILE PC

Ordering Information

SALES TYPE

STS9DNH3LL

MARKING

S9DNH3LL

PACKAGE

SO-8

PACKAGING

TAPE & REEL

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Parameter

Value

Unit

Drain-source Voltage (V = 0)

± 18

Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)

DGR

Gate- source Voltage

Drain Current (continuous) at T = 25°C

Drain Current (continuous) at T = 100°C

5.5

(•)

Drain Current (pulsed)

Total Dissipation at T = 25°C

tot

(•) Pulse width limited by safe operating area.

May 2004

1/6

This is preliminary information on a new product forseen to be developped. Details are subject to change without notice

12 3 4 5 6

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与STS9DNH3LL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STS9NF30L	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 30V - 0.015 ohm - 9A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET
STS9NF30L	ANALOGICTECH	获取价格	N-CHANNEL 30V - 0.015 W - 9A SO-8 LOW GATE CH
STS9NF30L_02	ANALOGICTECH	获取价格	N-CHANNEL 30V - 0.015 W - 9A SO-8 LOW GATE CH
STS9NF3LL	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 30V - 0.016 ohm - 9A SO-8 LOW GATE
STS9NH3LL	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 30V - 0.018ohm - 9A - SO-8 Low gate charge STripFET TM III Power MOSFET
STS9NH3LL_07	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 30 V - 0.018 Ω - 9 A - SO-8 low gat
STS9P3LLH6	STMICROELECTRONICS	获取价格	P沟道-30 V、12 mOhm典型值、-9 A STripFET H6功率MOSFET，
STSA1805	STMICROELECTRONICS	获取价格	LOW VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
STSA1805-AP	STMICROELECTRONICS	获取价格	LOW VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
STSA851	STMICROELECTRONICS	获取价格	LOW VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

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