STS9018

更新时间： 2024-02-15 16:04:33

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可天士 - KODENSHI		晶体晶体管
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5页	233K
描述
NPN Silicon Transistor

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STS9018 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.61	最大集电极电流 (IC)：	0.02 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	132
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	标称过渡频率 (fT)：	500 MHz
Base Number Matches：	1

STS9018 数据手册

STS9018

NPN Silicon Transistor

Description

• High frequency low noise amplifier application

• VHF band amplifier application

PIN Connection

Features

• Low noise figure : NF = 4dB(Max.) at f=100MHz

• High transition frequency f_T= 800MHz(Typ.)

TO-92

Ordering Information

Type NO.

Marking

Package Code

STS9018

TO-92

Absolute maximum ratings

Characteristic

Ta=25°C

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

Collector-Base voltage

Collector-Emitter voltage

Emitter-Base voltage

Collector current

°C

Emitter current

I_E

-20

Collector dissipation

P_C

625

150

-55~150

Junction temperature

Storage temperature range

T_j

T_stg

°C

Electrical Characteristics

Characteristic

Ta=25°C

Symbol

Test Condition

Min. Typ. Max. Unit

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

I_CBO

V_CB=40V, I_E=0

0.1

198

μA

I_EBO

V_EB=4V, I_C=0

h_FE

V_CE=5V, I_C=1mA

V_CE=10V, I_E=-8mA

500

800

Transistor frequency

Noise figure

f_T

MHz

G_PE

V_CB=6V,I_E=-1mA,

f=100MHz

Power gain

* : h_FErank / F : 54~80, G : 70~108, H : 97~146, I : 132~198.

KSD-T0A049-000

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