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STS8DNH3LL

更新时间： 2024-09-22 22:24:31
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅
页数 文件大小 规格书
9页 226K
描述
DUAL N-CHANNEL 30V - 0.018 OHM - 8A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET III POWER MOSFET

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STS8DNH3LL 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SO-8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：8 A
最大漏极电流 (ID)：8 A最大漏源导通电阻：0.025 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STS8DNH3LL 数据手册

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STS8DNH3LL  
DUAL N-CHANNEL 30V - 0.018 Ω - 8A SO-8  
LOW GATE CHARGE STripFET™ III POWER MOSFET  
V
R
I
D
TYPE  
DSS  
DS(on)  
STS8DNH3LL  
30 V  
<0.022 Ω  
8 A  
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.018Ω  
OPTIMAL RDS(on) x Qg TRADE-OFF @ 4.5V  
CONDUCTION LOSSES REDUCED  
SWITCHING LOSSES REDUCED  
DESCRIPTION  
This application specific MOSFET is the Third generation  
of STMicroelectronis unique "Single Feature Size™"  
strip-based process. The resulting transistor shows the  
best trade-off between on-resistance and gate charge.  
When used as high and low side in buck regulators, it  
gives the best performance in terms of both conduction  
and switching losses. This is extremely important for  
motherboards where fast switching and high efficiency  
are of paramount importance.  
SO-8  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
SPECIFICALLY DESIGNED AND OPTIMISED  
FOR HIGH EFFICIENCY CPU CORE DC/DC  
CONVERTERS FOR MOBILE PCS  
Ordering Information  
SALES TYPE  
STS8DNH3LL  
MARKING  
S8DNH3LL  
PACKAGE  
SO-8  
PACKAGING  
TAPE & REEL  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
V
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
30  
30  
± 16  
8
GS  
V
DGR  
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
V
GS  
V
Gate- source Voltage  
V
GS  
I
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
A
D
C
I
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
5
A
D
C
I
(•)  
Drain Current (pulsed)  
32  
2
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
tot  
C
(•) Pulse width limited by safe operating area.  
Rev.0.2  
June 2004  
1/9  
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与STS8DNH3LL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STS8DNH3LL_08 STMICROELECTRONICS

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 		Dual n-channel 30 V - 0.018 Ω - 8 A - SO-8 lo
STS8DPF80 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		2000mA, 80V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SO-8
STS8N6LF6AG STMICROELECTRONICS

获取价格

 		汽车级N沟道60 V、21 mOhm典型值、8 A STripFET F6功率MOSFET
STS8NF30L STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL 30V - 0.018ohm - 8A SO-8 STripFET POWER MOSFET
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