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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STS10NF30L
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STS10NF30L

更新时间： 2024-09-25 22:21:15
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 47K
描述
N - CHANNEL 30V - 0.011ohm - 10A SO-8 STripFET POWER MOSFET

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STS10NF30L 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SO-8
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.66
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：10 A
最大漏极电流 (ID)：10 A最大漏源导通电阻：0.022 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.5 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STS10NF30L 数据手册

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STS10NF30L  
N - CHANNEL 30V - 0.011Ω - 10A SO-8  
STripFET POWER MOSFET  
PRELIMINARY DATA  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STS10NF30L  
30 V  
< 0.0135 Ω  
10 A  
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.011 Ω  
STANDARD OUTLINE FOR EASY  
AUTOMATED SURFACE MOUNT ASSEMBLY  
LOW THRESHOLD DRIVE  
■
DESCRIPTION  
This Power MOSFET is the second generation of  
STMicroelectronics unique ” Single Feature  
Size  
” strip-based process. The resulting  
transistor shows extremely high packing density  
for low on-resistance, rugged avalanche  
characteristics and less critical alignment steps  
SO-8  
therefore  
a
remarkable  
manufacturing  
reproducibility.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
DC MOTOR DRIVE  
DC-DC CONVERTERS  
BATTERY MANAGMENT IN NOMADIC  
EQUIPMENT  
■
POWER MANAGEMENT IN  
PORTABLE/DESKTOPPCs  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
Parameter  
Value  
30  
Unit  
V
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
VDGR  
VGS  
30  
V
± 20  
V
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
10  
6.5  
A
A
o
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
IDM(• )  
Drain Current (pulsed)  
40  
A
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 oC  
2.5  
W
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/6  
June 2000  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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