5秒后页面跳转
| 品牌 | Logo | 应用领域 |
| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
/ |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 13页 | 778K |  |
| 描述 | ||
| N-channel 30 V, 0.019 Ω, 10 A, SO-8 STripFET⢠V Power MOSFET | ||
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, SOP-8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 14 weeks | 风险等级： | 7.8 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 50 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 10 A | 最大漏源导通电阻： | 0.028 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e4 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 2.5 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STS5N15F3 | STMICROELECTRONICS |
类似代替  |
5A, 150V, 0.057ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8 |
|
| STS5N15F4 | STMICROELECTRONICS |
类似代替 |
N-channel 150 V, 0.057Ω, 5 A, SO-8 STripFETâ |
|
| STS9NH3LL | STMICROELECTRONICS |
类似代替 |
N-channel 30V - 0.018ohm - 9A - SO-8 Low gate charge STripFET TM III Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STS10NF30L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 30V - 0.011ohm - 10A SO-8 STripFET POWER MOSFET |
|
| STS10P3LLH6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
P沟道-30 V、0.01 Ohm典型值、-12.5 A STripFET H6功率MOS |
|
| STS10P4LLF6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
P沟道40 V、0.0125 Ohm典型值、10 A STripFET F6功率MOSFE |
|
| STS10PF30L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
P-CHANNEL 30V - 0.012Ohm - 10A SO-8 STripFET II POWER MOSFET |
|
| STS10T06 | STANSON |
获取价格 |
Reliable High Temperature Operation |
|
| STS10T06T277RGB | STANSON |
获取价格 |
Reliable High Temperature Operation |
|
| STS11N3LLH5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 30 V, 0.0117 Ω, 11 A, SO-8 STripFE |
|
| STS11NF30L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 30V - 0.009 ohm - 11A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET |
|
| STS11NF30L_07 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 30V - 0.0085Ω - 11A SO-8 Low gate c |
|
| STS11NF3LL | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 30V - 0.009 ohm - 11A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
