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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 11页 | 393K |  |
| 描述 | ||
| N-CHANNEL 450V - 4.1ohm - 1.5 A IPAK / TO-92 SuperMESH⑩Power MOSFET | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-92 | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 25 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 450 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.5 A | 最大漏源导通电阻： | 4.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 3.1 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 2 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STQ1NC45R | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 450V 4.1OHM 1.5A DPAK/IPAK/TO-92 SUPERMESH POWER MOSFET |
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| STQ1NC45R-AP | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 450V - 4.1ヘ - 1.5A - IPAK - TO-92 S |
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| STQ1NC60 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 380MA I(D) | TO-92 |
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| STQ1NC60-AP | STMICROELECTRONICS |
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暂无描述 |
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| STQ1NC60R | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 600V - 12ohm - 0.3A TO-92 PowerMESH |
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| STQ1NC60R-AP | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 300MA I(D) | TO-92VAR |
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| STQ1NE10L | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 100V - 0.3 ohm - 1A TO-92 STripFET⑩ |
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| STQ1NE10L_07 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 100V - 0.3ヘ - 1A - TO-92 STripFET⑩ |
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| STQ1NE10L-AP | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 100V - 0.3ヘ - 1A - TO-92 STripFET⑩ |
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| STQ1NK60ZR | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 600V 13 OHM 0.8A TO-92/IPAK/SOT-223 Zener-Protected SuperMESH MOSFET |
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