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STPS41L30CR PDF预览

STPS41L30CR

更新时间： 2024-11-05 22:10:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 整流二极管
页数 文件大小 规格书
6页 102K
描述
LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER

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STPS41L30CR 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：PLASTIC, I2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.82
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：POWER
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.38 V
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：220 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最大输出电流：20 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：245
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：30 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

STPS41L30CR 数据手册

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®
STPS41L30CG/CT/CR  
LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER  
MAIN PRODUCTS CHARACTERISTICS  
A1  
A2  
IF(AV)  
VRRM  
2 x 20 A  
30 V  
K
Tj (max)  
VF (max)  
150 °C  
0.38 V  
FEATURES AND BENEFITS  
■
■
■
■
■
■
■
VERY SMALL CONDUCTION LOSSES  
A2  
A2  
K
K
NEGLIGIBLE SWITCHING LOSSES  
EXTREMELY FAST SWITCHING  
LOW FORWARD VOLTAGE DROP  
HIGH AVALANCHE CAPABILITY  
LOW THERMAL RESISTANCE  
A1  
A1  
I2PAK  
TO-220AB  
STPS41L30CT  
STPS41L30CR  
K
AVALANCHE CAPABILITY SPECIFIED  
DESCRIPTION  
A2  
Dual center tab Schottky rectifier suited for Switch  
Mode Power Supply and high frequency DC to DC  
converters.  
Packaged in D2PAK, I2PAK and TO-220ABthis  
device is intended for use in low voltage, high  
frequency inverters, free-wheeling and polarity  
protection applications.  
A1  
D2PAK  
STPS41L30CG  
ABSOLUTE RATINGS (limiting values, per diode)  
Symbol  
VRRM  
Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Value  
30  
Unit  
V
IF(RMS)  
IF(AV)  
30  
A
RMS forward current  
20  
40  
Average forward current  
Tc = 135°C  
δ = 0.5  
Per diode  
A
Per device  
IFSM  
IRRM  
PARM  
Tstg  
220  
A
A
Surge non repetitive forward current  
Peak repetitive reverse current  
Repetitive peak avalanche power  
Storage temperature range  
tp = 10 ms sinusoidal  
tp=2 µs square F=1kHz  
tp = 1µs Tj = 25°C  
1
6500  
- 65 to + 175  
150  
W
°C  
°C  
V/µs  
Tj  
Maximum operating junction temperature *  
Critical rate of rise reverse voltage  
dV/dt  
10000  
dPtot  
1
* :  
<
thermal runaway condition for a diode on its own heatsink  
dTj  
Rth(j − a)  
July 2003 - Ed : 3A  
1/6  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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