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STPS40L45CT

更新时间： 2024-10-31 22:53:19
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
5页 74K
描述
LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER

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STPS40L45CT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：11 weeks风险等级：1.43
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：POWER
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.49 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：230 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最大输出电流：20 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：45 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

STPS40L45CT 数据手册

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®
STPS40L45CT/CW  
LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER  
MAIN PRODUCTS CHARACTERISTICS  
A1  
A2  
K
IF(AV)  
VRRM  
2 x 20 A  
45 V  
Tj (max)  
VF (max)  
150 °C  
0.49 V  
FEATURES AND BENEFITS  
LOW FORWARD VOLTAGE DROP MEANING  
VERY SMALL CONDUCTION LOSSES  
A2  
A2  
K
A1  
K
A1  
LOW DYNAMIC LOSSES AS A RESULT OF  
THE SCHOTTKY BARRIER  
AVALANCHE RATED  
TO-247  
STPS40L45CW  
TO-220AB  
STPS40L45CT  
DESCRIPTION  
Dual center tap Schottky barrier rectifier designed  
for high frequency Switched Mode Power Supplies  
and DC to DC converters.  
Packaged in TO-220AB and TO-247 this device is  
intended for use in low voltage, high frequency  
inverters, free-wheeling and polarity protection  
applications.  
ABSOLUTE RATINGS (limiting values, per diode)  
Symbol  
VRRM  
Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Value  
45  
Unit  
V
IF(RMS)  
IF(AV)  
30  
A
RMS forward current  
20  
40  
A
Average forward current  
Tc = 130°C Per diode  
δ = 0.5 Per device  
IFSM  
IRRM  
IRSM  
Tstg  
230  
A
A
Surge non repetitive forward current  
Repetitive peak reverse current  
Non repetitive peak reverse current  
Storage temperature range  
tp = 10 ms Sinusoidal  
tp = 2 µs square F = 1kHz  
tp = 100 µs square  
2
3
A
- 65 to + 150  
150  
°C  
°C  
V/µs  
Tj  
Maximum operating junction temperature *  
dV/dt  
10000  
Critical rate of rise of reverse voltage  
1
dPtot  
* :  
<
thermal runaway condition for a diode on its own heatsink  
dTj  
Rth(j − a)  
November 1999 - Ed: 1  
1/5  
12345

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STPS40L45CT 替代型号

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