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STPS40L45CG PDF预览

STPS40L45CG

更新时间： 2024-10-31 22:53:19
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 整流二极管
页数 文件大小 规格书
6页 108K
描述
LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER

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STPS40L45CG 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-263包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.69Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：POWER
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.49 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：230 A元件数量：2
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最大输出电流：20 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：45 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

STPS40L45CG 数据手册

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®
STPS40L45CG/CT/CW  
LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER  
MAIN PRODUCTS CHARACTERISTICS  
A1  
A2  
K
IF(AV)  
VRRM  
2 x 20 A  
45 V  
K
Tj (max)  
VF (max)  
150 °C  
0.49 V  
A2  
FEATURES AND BENEFITS  
A1  
■
■
■
LOW FORWARD VOLTAGE DROP MEANING  
VERY SMALL CONDUCTION LOSSES  
LOW SWITCHING LOSSES ALLOWING HIGH  
FREQUENCY OPERATION  
AVALANCHE CAPABILITY SPECIFIED  
D2PAK  
STPS40L45CG  
DESCRIPTION  
Dual center tap Schottky barrier rectifier designed  
for high frequency Switched Mode Power Supplies  
and DC to DC converters.  
Packaged in TO-220AB, TO-247 and D2PAK  
these devices are intended for use in low voltage,  
high frequency inverters, free-wheeling and  
polarity protection applications.  
A2  
A2  
K
A1  
K
A1  
TO-247  
STPS40L45CW  
TO-220AB  
STPS40L45CT  
ABSOLUTE RATINGS (limiting values, per diode)  
Symbol  
VRRM  
Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Value  
45  
Unit  
V
IF(RMS)  
IF(AV)  
30  
A
RMS forward current  
20  
40  
A
Average forward current  
Tc = 130°C Per diode  
δ = 0.5  
Per device  
IFSM  
IRRM  
IRSM  
PARM  
Tstg  
230  
A
A
Surge non repetitive forward current  
Repetitive peak reverse current  
Non repetitive peak reverse current  
Repetitive peak avalanche power  
Storage temperature range  
tp = 10 ms Sinusoidal  
tp = 2 µs square F = 1kHz  
tp = 100 µs square  
2
3
A
8100  
W
tp = 1µs Tj = 25°C  
- 65 to + 150  
150  
°C  
°C  
V/µs  
Tj  
Maximum operating junction temperature *  
dV/dt  
dPtot  
10000  
Critical rate of rise of reverse voltage  
1
* :  
<
thermal runaway condition for a diode on its own heatsink  
dTj  
Rth(j − a)  
July 2003 - Ed: 4A  
1/6  
123456

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STPS40L45CG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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