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STPS40L15CT PDF预览

STPS40L15CT

更新时间： 2024-10-31 22:53:19
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 整流二极管肖特基二极管局域网
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5页 87K
描述
LOW DROP OR-ing POWER SCHOTTKY DIODE

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STPS40L15CT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：11 weeks风险等级：1.18
应用：POWER配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.52 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：310 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C最大输出电流：20 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：15 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

STPS40L15CT 数据手册

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®
STPS40L15CW/CT  
LOW DROP OR-ing POWER SCHOTTKY DIODE  
MAJOR PRODUCT CHARACTERISTICS  
A1  
A2  
IF(AV)  
VRRM  
2 x 20 A  
15 V  
K
Tj (max)  
VF (max)  
150°C  
0.33 V  
FEATURES AND BENEFITS  
VERY LOW FORWARD VOLTAGE DROP FOR  
LESS POWER DISSIPATION AND REDUCED  
HEATSINK SIZE  
REVERSE VOLTAGE SUITED TO OR-ing OF  
3V, 5V and 12V RAILS  
A2  
A2  
K
K
A1  
A1  
DESCRIPTION  
Dual center tap schottky rectifier packaged in  
TO-220AB and TO-247, this device is especially  
intended for use as OR-ing diode in fault tolerant  
power supply equipments.  
TO-220AB  
STPS40L15CT  
TO-247  
STPS40L15CW  
ABSOLUTE RATINGS (limiting values, per diode)  
Symbol  
Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Value  
Unit  
VRRM  
15  
V
IF(RMS)  
IF(AV)  
30  
A
A
RMS forward current  
40  
Average forward current  
Tcase = 140°C Total  
δ = 1  
20  
Per diode  
IFSM  
IRRM  
IRSM  
Tstg  
310  
A
A
Surge non repetitive forward current tp = 10 ms Sinusoidal  
Peak repetitive reverse current tp = 2 µs F = 1kHz  
2
3
A
Non repetitive peak reverse current tp = 100 µs  
Storage temperature range  
- 65 to + 150  
150  
°C  
°C  
V/µs  
Tj  
Maximum operating junction temperature *  
Critical rate of rise of reverse voltage  
dV/dt  
10000  
dPtot  
dTj  
1
* :  
<
thermal runaway condition for a diode on its own heatsink  
Rth(j−a)  
November 1999 - Ed: 4A  
1/5  
12345

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