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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> STPS30H100CW
STPS30H100CW PDF预览

STPS30H100CW

更新时间： 2024-09-12 22:53:19
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 整流二极管高压局域网高电压电源
页数 文件大小 规格书
4页 54K
描述
HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER

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STPS30H100CW 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-247AC包装说明：TO-247, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：11 weeks风险等级：1.69
其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT应用：HIGH VOLTAGE POWER
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.93 VJEDEC-95代码：TO-247AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：250 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最大输出电流：15 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

STPS30H100CW 数据手册

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STPS30H100CW  
®
HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER  
MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS  
A1  
A2  
IF(AV)  
VRRM  
2 x 15 A  
100 V  
K
Tj (max)  
VF (max)  
175 °C  
0.67 V  
FEATURES AND BENEFITS  
NEGLIGIBLE SWITCHING LOSSES  
LOW LEAKAGE CURRENT  
GOOD TRADE OFF BETWEEN LEAKAGE  
CURRENT AND FORWARD VOLTAGE DROP  
A2  
K1  
A1  
LOW THERMAL RESISTANCE  
AVALANCHE RATED  
TO-247  
DESCRIPTION  
Dual center tap Schottky rectifier suited for  
Switch Mode Power Supplies and high fre-  
quency DC to DC converters.  
Packaged in TO-247, this device is intended  
for use in high frequency inverters.  
ABSOLUTE RATINGS  
Symbol  
(limiting values, per diode)  
Parameter  
Value  
100  
30  
Unit  
V
VRRM  
Repetitive peak reverse voltage  
IF(RMS) RMS forward current  
A
IF(AV)  
Average forward current  
Tc = 155°C  
Per diode  
Per device  
15  
30  
A
δ
= 0.5  
IFSM  
IRRM  
IRSM  
Tstg  
Surge non repetitive forward current  
Repetitive peak reverse current  
Non repetitive peak reverse current  
Storage temperature range  
tp = 10 ms sinusoidal  
250  
A
A
A
µ
tp = 2 s square F = 1kHz  
1
3
µ
tp = 100 s square  
°
C
- 65 to + 175  
175  
Tj  
Maximum operating junction temperature *  
Critical rate of rise of reverse voltage  
°C  
µ
V/ s  
dV/dt  
10000  
dPtot  
dTj  
1
<
* :  
thermal runaway condition for a diode on its own heatsink  
Rth(j−a)  
July 1999 - Ed: 3D  
1/4  
1234

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STPS30H100CW 替代型号

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