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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> STPS30H100CTN
STPS30H100CTN PDF预览

STPS30H100CTN

更新时间： 2024-01-23 12:14:04
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 高压高电压电源
页数 文件大小 规格书
4页 54K
描述
100 V power Schottky rectifier

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STPS30H100CTN 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.43
其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT应用：HIGH VOLTAGE POWER
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.93 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：250 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：15 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向电流：5 µA子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

STPS30H100CTN 数据手册

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STPS30H100CW  
®
HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER  
MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS  
A1  
A2  
IF(AV)  
VRRM  
2 x 15 A  
100 V  
K
Tj (max)  
VF (max)  
175 °C  
0.67 V  
FEATURES AND BENEFITS  
NEGLIGIBLE SWITCHING LOSSES  
LOW LEAKAGE CURRENT  
GOOD TRADE OFF BETWEEN LEAKAGE  
CURRENT AND FORWARD VOLTAGE DROP  
A2  
K1  
A1  
LOW THERMAL RESISTANCE  
AVALANCHE RATED  
TO-247  
DESCRIPTION  
Dual center tap Schottky rectifier suited for  
Switch Mode Power Supplies and high fre-  
quency DC to DC converters.  
Packaged in TO-247, this device is intended  
for use in high frequency inverters.  
ABSOLUTE RATINGS  
Symbol  
(limiting values, per diode)  
Parameter  
Value  
100  
30  
Unit  
V
VRRM  
Repetitive peak reverse voltage  
IF(RMS) RMS forward current  
A
IF(AV)  
Average forward current  
Tc = 155°C  
Per diode  
Per device  
15  
30  
A
δ
= 0.5  
IFSM  
IRRM  
IRSM  
Tstg  
Surge non repetitive forward current  
Repetitive peak reverse current  
Non repetitive peak reverse current  
Storage temperature range  
tp = 10 ms sinusoidal  
250  
A
A
A
µ
tp = 2 s square F = 1kHz  
1
3
µ
tp = 100 s square  
°
C
- 65 to + 175  
175  
Tj  
Maximum operating junction temperature *  
Critical rate of rise of reverse voltage  
°C  
µ
V/ s  
dV/dt  
10000  
dPtot  
dTj  
1
<
* :  
thermal runaway condition for a diode on its own heatsink  
Rth(j−a)  
July 1999 - Ed: 3D  
1/4  
1234

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STPS30H100CTN 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STPS30H100CT STMICROELECTRONICS

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