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STPS30H100CT PDF预览

STPS30H100CT

更新时间： 2024-09-12 22:53:19
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 整流二极管高压局域网高电压电源
页数 文件大小 规格书
5页 69K
描述
HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER

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STPS30H100CT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：11 weeks风险等级：1.28
其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT应用：HIGH VOLTAGE POWER
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.67 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：250 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最大输出电流：15 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

STPS30H100CT 数据手册

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STPS30H100CW/CT  
®
HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER  
MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS  
A1  
A2  
K
IF(AV)  
VRRM  
2 x 15 A  
100 V  
Tj (max)  
VF (max)  
175 °C  
0.67 V  
FEATURES AND BENEFITS  
A2  
A2  
K
■
■
■
NEGLIGIBLE SWITCHING LOSSES  
LOW LEAKAGE CURRENT  
GOOD TRADE OFF BETWEEN LEAKAGE  
CURRENT AND FORWARD VOLTAGE DROP  
LOW THERMAL RESISTANCE  
K
A1  
A1  
TO-220AB  
STPS30H100CT  
TO-247  
STPS30H100CW  
■
■
AVALANCHE CAPABILITY SPECIFIED  
DESCRIPTION  
Dual center tap Schottky rectifier suited for  
Switch Mode Power Supplies and high fre-  
quency DC to DC converters.  
Packaged in TO-247, this device is intended  
for use in high frequency inverters.  
ABSOLUTE RATINGS (limiting values, per diode)  
Symbol  
Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Value  
100  
30  
Unit  
V
VRRM  
IF(RMS) RMS forward current  
A
IF(AV)  
Average forward current  
Tc = 155°C  
δ = 0.5  
Per diode  
Per device  
15  
30  
A
IFSM  
IRRM  
IRSM  
PARM  
Tstg  
Surge non repetitive forward current  
Repetitive peak reverse current  
Non repetitive peak reverse current  
Repetitive peak avalanche power  
Storage temperature range  
tp = 10 ms sinusoidal  
tp = 2 µs square F = 1kHz  
tp = 100 µs square  
250  
A
A
1
3
A
tp = 1µs Tj = 25°C  
10800  
- 65 to + 175  
175  
W
°C  
°C  
V/µs  
Tj  
Maximum operating junction temperature *  
Critical rate of rise of reverse voltage  
dV/dt  
10000  
dPtot  
1
* :  
<
thermal runaway condition for a diode on its own heatsink  
dTj  
Rth(j − a)  
July 2003 - Ed: 5E  
1/5  
12345

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STPS30H100CT 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STPS30H100CTN STMICROELECTRONICS

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